Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : - Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 34mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 16mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id : 4.1V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.15nC @ 10V Vgs (Max) : ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6pF @ 25V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 1.39W (Ta) Operating Temperature : -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : SOT-23 Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : Tape & Reel (TR) Series : - Part Status : Preliminary FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 5.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id : 1.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V Vgs (Max) : ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 15V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 1.4W (Ta) Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : SOT-23-3 Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : - Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : - Drain to Source Voltage (Vdss) : - Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : - Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : - FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : - Mounting Type : - Supplier Device Package : - Package / Case : -

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 沟道 技术 : MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 5.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 2.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 7nC @ 4.5V Vgs（最大值） : ±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 630pF @ 15V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : 1.4W（Ta） 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : SOT-23-3L 封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : - Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : - Drain to Source Voltage (Vdss) : - Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : - Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : - FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : - Mounting Type : - Supplier Device Package : - Package / Case : -

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : P 沟道 技术 : MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 2.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 44 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1.3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 12.2nC @ 4.5V Vgs（最大值） : ±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1200pF @ 15V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : 1.4W（Ta） 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : SOT-23-3L 封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : Tape & Reel (TR) Series : - Part Status : Last Time Buy FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V Vgs (Max) : ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 15V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 1.4W (Ta) Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : SOT-23-3 Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : Tape & Reel (TR) Series : - Part Status : Last Time Buy FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4.3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 4.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12.2nC @ 4.5V Vgs (Max) : ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 15V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 1.4W (Ta) Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : SOT-23-3 Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : - Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : - Drain to Source Voltage (Vdss) : - Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : - Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : - FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : - Mounting Type : - Supplier Device Package : - Package / Case : -

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : Tape & Reel (TR) Series : - Part Status : Last Time Buy FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4.2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 4.5V Vgs (Max) : ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 954pF @ 15V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 1.4W (Ta) Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : SOT-23-3 Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Manufacturer : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Packaging : Tape & Reel (TR) Series : - Part Status : Last Time Buy FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4.2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 4.5V Vgs (Max) : ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 954pF @ 15V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 1.4W (Ta) Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : SOT-23-3 Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 沟道 技术 : MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 2.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 55 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 4.34nC @ 4.5V Vgs（最大值） : ±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 390pF @ 15V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : 1.4W（Ta） 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : SOT-23-3L 封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售