GeneSiC Semiconductor

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 650V 电流 - 平均整流（Io） : 14.6A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.5V @ 15A 速度 : 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 0ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5µA @ 650V 不同 Vr，F 时的电容 : 1107pF @ 1V，1MHz 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-276AA 供应商器件封装 : TO-276 包装 : 管件 工作温度 - 结 : -55°C ~ 250°C 零件状态 : 在售

Manufacturer : GeneSiC Semiconductor Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Tc) (165°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 47W (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 225°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Supplier Device Package : TO-257 Package / Case : TO-257-3

Manufacturer : GeneSiC Semiconductor Packaging : Tube Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Tc) (165°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 125W (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 225°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : TO-276 Package / Case : TO-276AA

Manufacturer : GeneSiC Semiconductor Packaging : Tube Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 7A (Tc) (165°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7A Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 35V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 80W (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 225°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Supplier Device Package : TO-257 Package / Case : TO-257-3

Manufacturer : GeneSiC Semiconductor Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8A (Tc) (158°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 8A Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 35V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 200W (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 225°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : TO-276 Package / Case : TO-276AA

Manufacturer : GeneSiC Semiconductor Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 15A (Tc) (155°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 15A Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1534pF @ 35V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 172W (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 225°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Supplier Device Package : TO-257 Package / Case : TO-257-3

Manufacturer : GeneSiC Semiconductor Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete FET Type : - Technology : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 16A (Tc) (155°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : - Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 16A Vgs(th) (Max) @ Id : - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : - Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1534pF @ 35V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : 330W (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 225°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : TO-276 Package / Case : TO-276AA

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 单相 技术 : 标准 电压 - 峰值反向（最大值） : 800V 电流 - 平均整流（Io） : 10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 5A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 800V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 4-方形，BR-10 供应商器件封装 : BR-10 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 单相 技术 : 标准 电压 - 峰值反向（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 3A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 200V 工作温度 : -65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 4-方形，BR-6 供应商器件封装 : BR-6 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 单相 技术 : 标准 电压 - 峰值反向（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io） : 8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 4A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 100V 工作温度 : -65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 4-方形，BR-8 供应商器件封装 : BR-8 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 单相 技术 : 标准 电压 - 峰值反向（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 1A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 200V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 4-EDIP（0.321"，8.15mm） 供应商器件封装 : DB 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 1000V 电流 - 平均整流（Io） : 12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 800mV @ 12A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 500ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 25µA @ 100V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装 : DO-4 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 150°C 零件状态 : 在售