系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 13 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.5V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 2.4A，2.4A 输入类型 : 反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 1200V 上升/下降时间（典型值） : 30ns，50ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 36-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽），32 引线 供应商器件封装 : PG-DSO-36-58 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 14 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 1A，2A 输入类型 : 反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 1200V 上升/下降时间（典型值） : 20ns，20ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），18 引线 供应商器件封装 : PG-DSO-18-2 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 3 V ~ 3.5 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.2V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 4A，8A 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 非反相 上升/下降时间（典型值） : 6.5ns，4.5ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 13-TFLGA 供应商器件封装 : PG-TFLGA-13-1 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 3 V ~ 3.5 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.2V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 4A，8A 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 非反相 上升/下降时间（典型值） : 6.5ns，4.5ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : PG-DSO-16 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 3 V ~ 3.5 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.2V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 4A，8A 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 非反相 上升/下降时间（典型值） : 6.5ns，4.5ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 13-TFLGA 供应商器件封装 : PG-TFLGA-13-1 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT 电压 - 电源 : 10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 500mA，500mA 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，24ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : PG-DSO-8 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT 电压 - 电源 : 10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 500mA，500mA 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，24ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : PG-DSO-8 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 250mA，500mA 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，24ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : PG-DSO-14 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : - 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，24ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-DSO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 10 V ~ 25 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : - 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，24ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 14-DSO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : IGBT 电压 - 电源 : 10 V ~ 25 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 2.3A，2.3A 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，37ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : PG-DSO-14 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : EiceDriver™ 制造商 : Infineon Technologies 驱动配置 : 半桥 通道类型 : 独立式 驱动器数 : 2 栅极类型 : N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源 : 10 V ~ 17.5 V 逻辑电压 - VIL，VIH : 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 1.8A，2.3A 输入类型 : 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举） : 600V 上升/下降时间（典型值） : 48ns，37ns 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 14-DSO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售