Microsemi

- Microsemi Corporation(纳斯达克股票代码:MSCC) 为航空航天与国防、通信、数据中心以及工业市场提供全面的半导体解决方案产品组合。 公司产品包括:高性能、抗辐射、模拟式混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC,电源管理产品,定时和同步器件以及精密时间解决方案(确立了全球时间标准),语音处理器件,射频解决方案,分立式元器件、企业存储和通信解决方案,安防技术和可扩展防篡改产品,以太网解决方案,以太网供电 IC 和中跨,以及定制设计能力和服务。 Microsemi 总部设于美国加利福尼亚州 Aliso Viejo,全球员工总数约 4,800 人。

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Manufacturer
Description
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In Stock

1214-55

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7dB 功率 - 最大值 : 175W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 1A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 8A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW 供应商器件封装 : 55AW 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥2,249.00
100件,有货

1517-110M

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 70V 频率 - 跃迁 : 1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7.3dB ~ 8.6dB 功率 - 最大值 : 350W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 1A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 9A 工作温度 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW-1 供应商器件封装 : 55AW-1 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥2,898.67
100件,有货

1517-20M

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7.6dB ~ 9.3dB 功率 - 最大值 : 175W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 500mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3A 工作温度 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55LV-1 供应商器件封装 : 55LV-1 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥1,825.29
100件,有货

152OR-S300-OCXO

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 类型 : 网络时间服务器 配套使用产品/相关产品 : - 零件状态 : 停產
0
100件,有货

1588-CLSLV-SF2

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 类型 : 许可证 应用 : - 版本 : - 许可长度 : - 许可 - 用户明细 : - 操作系统 : - 配套使用产品/相关产品 : - 媒体分发类型 : - 零件状态 : 在售
¥282,110.42
100件,有货

1N3311B

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) : 12V 容差 : ±5% 功率 - 最大值 : 50W 阻抗(最大值)(Zzt) : 1 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.5V @ 10A 工作温度 : -65°C ~ 175°C 安装类型 : 底座,接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥249.12
71件,有货

1N3595US

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) : 标准 电流 - 平均整流(Io) : 4A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1V @ 200mA 速度 : 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr) : 3µs 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1nA @ 125V 不同 Vr,F 时的电容 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SQ-MELF,B 供应商器件封装 : B,SQ-MELF 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 150°C 零件状态 : 在售
¥76.54
97件,有货

1N3611

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) : 200V 电流 - 平均整流(Io) : 1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.1V @ 1A 速度 : 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr) : 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1µA @ 200V 不同 Vr,F 时的电容 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : A,轴向 供应商器件封装 : A,轴向 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C 零件状态 : 在售
¥31.72
186件,有货

1N3998A

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) : 6.2V 容差 : ±5% 功率 - 最大值 : 10W 阻抗(最大值)(Zzt) : 1.1 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.5V @ 2A 工作温度 : -65°C ~ 175°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装 : DO-213AA(DO-4) 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥172.54
100件,有货

1N4109

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) : 15V 容差 : ±5% 功率 - 最大值 : 500mW 阻抗(最大值)(Zzt) : 100 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 50nA @ 11.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.1V @ 200mA 工作温度 : -65°C ~ 175°C 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装 : DO-204AH(DO-35 玻璃) 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥16.96
452件,有货

1N4110-1

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) : 16V 容差 : ±5% 功率 - 最大值 : 500mW 阻抗(最大值)(Zzt) : 100 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 50nA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.1V @ 200mA 工作温度 : -65°C ~ 175°C 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装 : DO-204AH(DO-35 玻璃) 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥15.42
171件,有货

1N4148-1

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) : 75V 电流 - 平均整流(Io) : 200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.2V @ 100mA 速度 : 小信号 = 反向恢复时间(trr) : 20ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 500nA @ 75V 不同 Vr,F 时的电容 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装 : DO-35 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C 零件状态 : 在售
¥5.89
2153件,有货