系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 2nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 50MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 50MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 40V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.3V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 50nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 30 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 50MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 40V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 20nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 50MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10µA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 40MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10µA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 40MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 30mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 50 @ 10µA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 40MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產