系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 24V 频率 - 跃迁 : 2.7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 9dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值 : 6W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 100mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 750mA 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 24V 频率 - 跃迁 : 2.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7.8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 13W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 200mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1.5A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 24V 频率 - 跃迁 : 1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 21W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 400mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 3A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 75V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7.4dB 功率 - 最大值 : 270W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 8A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55KT 供应商器件封装 : 55KT 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 65V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7.15dB ~ 8.7dB 功率 - 最大值 : 320W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 15A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55ST-1 供应商器件封装 : 55ST-1 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 70V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7.4dB 功率 - 最大值 : 700W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 20A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55ST 供应商器件封装 : 55ST 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7dB 功率 - 最大值 : 88W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 4A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW 供应商器件封装 : 55AW 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7dB 功率 - 最大值 : 88W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 4A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55KT 供应商器件封装 : 55KT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7dB 功率 - 最大值 : 88W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 4A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55ST 供应商器件封装 : 55ST 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7.8dB ~ 8.9dB 功率 - 最大值 : 125W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 5A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW-1 供应商器件封装 : 55AW-1 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 75V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 8.7dB ~ 9dB 功率 - 最大值 : 600W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 25A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55ST 供应商器件封装 : 55ST 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7dB 功率 - 最大值 : 175W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 8A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW 供应商器件封装 : 55AW 包装 : 散装 零件状态 : 在售