系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 140MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-723 供应商器件封装 : PG-TSFP-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 140MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-101，SOT-883 供应商器件封装 : PG-TSLP-3-4 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 140MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-75，SOT-416 供应商器件封装 : PG-SC-75 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 10 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 30 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 160MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-723 供应商器件封装 : PG-TSFP-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 10 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 30 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 160MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-101，SOT-883 供应商器件封装 : PG-TSLP-3-4 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 10 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 30 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 160MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-75，SOT-416 供应商器件封装 : PG-SC-75 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 47 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-723 供应商器件封装 : PG-TSFP-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 47 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-101，SOT-883 供应商器件封装 : PG-TSLP-3-4 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 47 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-75，SOT-416 供应商器件封装 : PG-SC-75 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 200mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-723 供应商器件封装 : PG-TSFP-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 电阻器 - 基底（R1） : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2） : 4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-101，SOT-883 供应商器件封装 : PG-TSLP-3-4 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产