系列 : HEXFET® 制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division FET 类型 : 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 31A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 220 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 7210pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1140W 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 16-MTP 模块 供应商器件封装 : 16-MTP 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 300mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 295mW 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 300mA（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : SOT-363 零件状态 : 停產

系列 : 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 340mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563，SOT-666 供应商器件封装 : SOT-666 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 115mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 200mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SC-70-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : OptiMOS™ 制造商 : Infineon Technologies FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 300mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 20pF @ 25V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 230mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 230mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 180mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 6 欧姆 @ 115mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 0.87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 22pF @ 25V 功率 - 最大值 : 300mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : OptiMOS™ 制造商 : Infineon Technologies FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 300mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 20pF @ 25V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 230mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Micro Commercial Co FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 115mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 200mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售