系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation IGBT 类型 : PT 电压 - 集射极击穿（最大值） : 600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 65A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值 : 250W 开关能量 : 130µJ（开），121µJ（关） 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 55nC 25°C 时 Td（开/关）值 : 8ns/29ns 测试条件 : 400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） : 400V，15A，5 欧姆，15V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247 包装 : 管件 零件状态 : 不適用於新設計

系列 : POWER MOS 7® 制造商 : Microsemi Corporation IGBT 类型 : PT 电压 - 集射极击穿（最大值） : 600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 65A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值 : 250W 开关能量 : 130µJ（开），120µJ（关） 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 55nC 25°C 时 Td（开/关）值 : 8ns/29ns 测试条件 : 400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） : 400V，15A，5 欧姆，15V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247 [B] 包装 : 管件 零件状态 : 不適用於新設計

系列 : POWER MOS 7® 制造商 : Microsemi Corporation IGBT 类型 : PT 电压 - 集射极击穿（最大值） : 600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 65A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值 : 250W 开关能量 : 130µJ（开），121µJ（关） 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 55nC 25°C 时 Td（开/关）值 : 8ns/29ns 测试条件 : 400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） : 400V，15A，5 欧姆，15V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247 [B] 包装 : 管件 零件状态 : 不適用於新設計

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Tube Series : POWER MOS 7? Part Status : Obsolete IGBT Type : PT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 600V Current - Collector (Ic) (Max) : 56A Current - Collector Pulsed (Icm) : 65A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 15A Power - Max : 250W Switching Energy : 130µJ (on), 121µJ (off) Input Type : Standard Gate Charge : 55nC Td (on/off) @ 25°C : 8ns/29ns Test Condition : 400V, 15A, 5 Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) : - Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Package / Case : TO-220-3 Supplier Device Package : TO-220 [K]

系列 : POWER MOS 7® 制造商 : Microsemi Corporation IGBT 类型 : PT 电压 - 集射极击穿（最大值） : 900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 43A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值 : 250W 开关能量 : 200µJ（关） 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 60nC 25°C 时 Td（开/关）值 : 9ns/33ns 测试条件 : 600V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） : 600V，15A，4.3 欧姆，15V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247 [B] 包装 : 管件 零件状态 : 不適用於新設計

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Tube Series : POWER MOS 7? Part Status : Active IGBT Type : PT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 900V Current - Collector (Ic) (Max) : 43A Current - Collector Pulsed (Icm) : 60A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 15A Power - Max : 250W Switching Energy : 200µJ (off) Input Type : Standard Gate Charge : 60nC Td (on/off) @ 25°C : 9ns/33ns Test Condition : 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) : - Operating Temperature : - Mounting Type : Through Hole Package / Case : TO-247-3 Supplier Device Package : TO-247 [B]

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Tube Series : POWER MOS 7? Part Status : Obsolete IGBT Type : PT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 900V Current - Collector (Ic) (Max) : 43A Current - Collector Pulsed (Icm) : 60A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 15A Power - Max : 250W Switching Energy : 200µJ (off) Input Type : Standard Gate Charge : 60nC Td (on/off) @ 25°C : 9ns/33ns Test Condition : 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) : - Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Package / Case : TO-220-3 Supplier Device Package : TO-220 [K]

系列 : Thunderbolt IGBT® 制造商 : Microsemi Corporation IGBT 类型 : NPT 电压 - 集射极击穿（最大值） : 1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 36A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 3.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值 : 250W 开关能量 : 585µJ（开），260µJ（关） 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 105nC 25°C 时 Td（开/关）值 : 10ns/85ns 测试条件 : 800V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） : 800V，15A，5 欧姆，15V 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247 [B] 包装 : 管件 零件状态 : 在售

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Tube Series : Thunderbolt IGBT? Part Status : Obsolete IGBT Type : NPT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 600V Current - Collector (Ic) (Max) : 42A Current - Collector Pulsed (Icm) : 45A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 15A Power - Max : 184W Switching Energy : 150µJ (on), 215µJ (off) Input Type : Standard Gate Charge : 75nC Td (on/off) @ 25°C : 6ns/105ns Test Condition : 400V, 15A, 10 Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) : - Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Package / Case : TO-220-3 Supplier Device Package : TO-220 [K]

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation IGBT 类型 : 沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值） : 600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 283A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 600A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 1.85V @ 15V，200A 功率 - 最大值 : 682W 开关能量 : 13mJ（开）， 11mJ（关） 输入类型 : 标准 栅极电荷 : 1180nC 25°C 时 Td（开/关）值 : 50ns/560ns 测试条件 : 400V，200A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） : 400V，200A，1 欧姆，15V 工作温度 : -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247-3 包装 : 管件 零件状态 : 在售

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Tube Series : - Part Status : Obsolete IGBT Type : NPT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V Current - Collector (Ic) (Max) : 36A Current - Collector Pulsed (Icm) : 64A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 15A Power - Max : 200W Switching Energy : 895µJ (on), 840µJ (off) Input Type : Standard Gate Charge : 100nC Td (on/off) @ 25°C : 10ns/120ns Test Condition : 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) : - Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Package / Case : TO-247-3 Supplier Device Package : TO-247 [B]

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Tube Series : - Part Status : Obsolete IGBT Type : NPT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V Current - Collector (Ic) (Max) : 32A Current - Collector Pulsed (Icm) : 64A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 15A Power - Max : 200W Switching Energy : 2.7mJ Input Type : Standard Gate Charge : 95nC Td (on/off) @ 25°C : 17ns/105ns Test Condition : - Reverse Recovery Time (trr) : - Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Through Hole Package / Case : TO-247-3 Supplier Device Package : TO-247 [B]