2DB1132P-13
2DB1132P-13
系列 : -
制造商 : Diodes Incorporated
晶体管类型 : PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1A
电压 - 集射极击穿(最大值) : 32V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 82 @ 100mA,3V
功率 - 最大值 : 1W
频率 - 跃迁 : 190MHz
工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-243AA
供应商器件封装 : SOT-89-3
包装 : 标准卷带
零件状态 : 在售
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