EPC2012C
EPC2012C
系列 : eGaN®
制造商 : EPC
FET 类型 : N 沟道
技术 : GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 100 毫欧 @ 3A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 1.3nC @ 5V
Vgs(最大值) : +6V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 140pF @ 100V
FET 功能 : -
功率耗散(最大值) : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 : 表面贴装
供应商器件封装 : 模具剖面(4 焊条)
封装/外壳 : 模具
包装 : 标准卷带
零件状态 : 在售
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