19MT050XF
19MT050XF
系列 : HEXFET®
制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division
FET 类型 : 4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能 : 标准
漏源电压(Vdss) : 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 31A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 220 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 7210pF @ 25V
功率 - 最大值 : 1140W
工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : 16-MTP 模块
供应商器件封装 : 16-MTP
包装 : 散装
零件状态 : 停產
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