系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 吸收 电路 : SPST 频率范围 : 1MHz ~ 5GHz 隔离 : 44dB 插入损耗 : 1.3dB 测试频率 : 5GHz P1dB : 33dBm IIP3 : 50dBm（最小） 特性 : 单线路控制 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 6-DFN（3x3） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : - 拓扑 : - 电路 : SPDT 频率范围 : 9kHz ~ 6GHz 隔离 : 21dB 插入损耗 : 0.95dB 测试频率 : 6GHz P1dB : 34dBm IIP3 : 50dBm 特性 : - 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 2.5 V ~ 3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 20-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 20-QFN（4x4） 包装 : 带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS®，HaRP™ 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 反光 电路 : SPDT 频率范围 : 9kHz ~ 6GHz 隔离 : 21dB 插入损耗 : 0.9dB 测试频率 : 6GHz P1dB : 34dBm IIP3 : 50dBm 特性 : 单线路控制 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 2.5 V ~ 3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 20-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 20-QFN（4x4） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 吸收 电路 : SPDT 频率范围 : DC ~ 3GHz 隔离 : 44dB 插入损耗 : 1.2dB 测试频率 : 3GHz P1dB : 31dBm IIP3 : 55dBm 特性 : - 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 20-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 20-QFN（4x4） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 反光 电路 : SPDT 频率范围 : 10MHz ~ 3GHz 隔离 : 20dB 插入损耗 : 0.5dB 测试频率 : 2GHz P1dB : 29dBm IIP3 : 55dBm 特性 : 单双线路控制 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 1.8 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SC-70-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 反光 电路 : SP6T 频率范围 : 100MHz ~ 3GHz 隔离 : 24dB 插入损耗 : 1.1dB 测试频率 : 1.9GHz P1dB : 20dBm（最小） IIP3 : 40dBm 特性 : 直流隔离 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 2.4 V ~ 2.8 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 20-WFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 20-QFN（4x4） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : CATV 拓扑 : 吸收 电路 : SPST 频率范围 : 1MHz ~ 3GHz 隔离 : 63dB 插入损耗 : 0.7dB 测试频率 : 1GHz P1dB : 30dBm IIP3 : 50dBm（最小） 特性 : 单线路控制 阻抗 : 75 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 6-DFN（3x3） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : CATV 拓扑 : 吸收 电路 : SPST 频率范围 : DC ~ 3GHz 隔离 : 60dB 插入损耗 : 0.7dB 测试频率 : 1GHz P1dB : 33dBm IIP3 : 50dBm（最小） 特性 : 单线路控制 阻抗 : 75 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 6-DFN（3x3） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : CATV 拓扑 : 反光 电路 : SPDT 频率范围 : DC ~ 3GHz 隔离 : 34dB 插入损耗 : 0.6dB 测试频率 : 2GHz P1dB : 52dBm IIP3 : 52dBm 特性 : 单线路控制 阻抗 : 75 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : CATV 拓扑 : 反光 电路 : SPDT 频率范围 : 5MHz ~ 3GHz 隔离 : 25dB 插入损耗 : 0.65dB 测试频率 : 2GHz P1dB : 32dBm IIP3 : 53dBm（最小） 特性 : 单线路控制 阻抗 : 75 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SC-70-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 吸收 电路 : SPDT 频率范围 : 5MHz ~ 2.2GHz 隔离 : 47dB 插入损耗 : 1.1dB 测试频率 : 2.2GHz P1dB : 26dBm IIP3 : 50dBm 特性 : - 阻抗 : 75 欧姆 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 20-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 20-QFN（4x4） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : UltraCMOS® 制造商 : pSemi RF 类型 : 通用 拓扑 : 反光 电路 : SPDT 频率范围 : DC ~ 4GHz 隔离 : 22dB 插入损耗 : 0.7dB 测试频率 : 2.5GHz P1dB : 32dBm IIP3 : 53dBm 特性 : 单双线路控制 阻抗 : 50 欧姆 电压 - 电源 : 2 V ~ 3.3 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SC-70-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產