GeneSiC Semiconductor

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 300A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 700mV @ 150A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 35V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 双塔架 供应商器件封装 : 双塔架 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io） : 35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 680mV @ 35A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1.5mA @ 20V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装 : DO-4 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 60V 电流 - 平均整流（Io） : 35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 35A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1.5mA @ 20V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装 : DO-4 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 400A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 840mV @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 双塔架 供应商器件封装 : 双塔架 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 400A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 840mV @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 双塔架 供应商器件封装 : 双塔架 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 400A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 650mV @ 100A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 双塔架 供应商器件封装 : 双塔架 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 2 个独立式 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 400A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.2V @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5µA @ 36V 工作温度 - 结 : -40°C ~ 175°C 安装类型 : 螺钉安装 封装/外壳 : SOT-227-4 供应商器件封装 : SOT-227 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 500A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 250A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 双塔架 供应商器件封装 : 双塔架 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 300A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 300A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 双塔架 供应商器件封装 : 双塔架 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io） : 80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 650mV @ 80A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 45V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io） : 80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 650mV @ 80A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 45V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 40V 电流 - 平均整流（Io） : 120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 700mV @ 120A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 40V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : D-67 半封装 供应商器件封装 : D-67 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 零件状态 : 在售