GeneSiC Semiconductor

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io） : 200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 650mV @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5mA @ 20V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : D-67 供应商器件封装 : D-67 包装 : 散装 工作温度 - 结 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io） : 200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 700mV @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 45V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : D-67 供应商器件封装 : D-67 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 200A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 880mV @ 100A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 200A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 100A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 300A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 150A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 300A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 150A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 400A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 880mV @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 400A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 750mV @ 200A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 20V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 1 对共阳极 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 300A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 920mV @ 300A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1mA @ 200V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 三塔 供应商器件封装 : 三塔 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 2 个独立式 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 30A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 60ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 25µA @ 200V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装 : SOT-227 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 2 个独立式 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.5V @ 30A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 60ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 25µA @ 600V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装 : SOT-227 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管配置 : 2 个独立式 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） : 120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 60A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 25µA @ 200V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装 : SOT-227 包装 : 散装 零件状态 : 在售