系列 : - 制造商 : SMC Diode Solutions 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 15V 电流 - 平均整流（Io） : - 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 360mV @ 19A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10.5mA @ 15V 不同 Vr，F 时的电容 : 2500pF @ 5V， 1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-220-2 供应商器件封装 : TO-220AC 包装 : 管件 工作温度 - 结 : -55°C ~ 100°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : SMC Diode Solutions 二极管类型 : 肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 15V 电流 - 平均整流（Io） : - 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 360mV @ 19A 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10.5mA @ 15V 不同 Vr，F 时的电容 : 2500pF @ 5V， 1MHz 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装 : D2PAK 包装 : 标准卷带 工作温度 - 结 : -55°C ~ 100°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : SMC Diode Solutions 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 1000V 电流 - 平均整流（Io） : 1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 1A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 5µA @ 1000V 不同 Vr，F 时的电容 : 15pF @ 4V，1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : R-1（轴向） 供应商器件封装 : R-1 包装 : 带盒（TB） 工作温度 - 结 : -65°C ~ 125°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io） : 35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.2V @ 35A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 190°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io） : 40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 40A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 200°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 40A 速度 : - 反向恢复时间（trr） : - 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 190°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 40A 速度 : - 反向恢复时间（trr） : - 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 190°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 400V 电流 - 平均整流（Io） : 35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.2V @ 35A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 190°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 600V 电流 - 平均整流（Io） : 40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 40A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 190°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 600V 电流 - 平均整流（Io） : 40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 40A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 190°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 100V 电流 - 平均整流（Io） : 12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 12A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装 : DO-4 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 200°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 600V 电流 - 平均整流（Io） : 12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 12A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装 : DO-4 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 200°C 零件状态 : 在售