系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 150V 电流 - 平均整流（Io） : 60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 60A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 200°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 60A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 200°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准型， 反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 600V 电流 - 平均整流（Io） : 60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 60A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 200°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 75V 电流 - 平均整流（Io） : 300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 10mA 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 100nA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : 2pF @ 0V，1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装 : DO-35 包装 : 标准卷带 工作温度 - 结 : 175°C（最大） 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 100mA 速度 : 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 100nA @ 175V 不同 Vr，F 时的电容 : 5pF @ 0V，1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装 : DO-35 包装 : 标准卷带 工作温度 - 结 : 175°C（最大） 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.5V @ 15A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-203AB（DO-5） 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : GeneSiC Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 600V 电流 - 平均整流（Io） : 15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.5V @ 15A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 10µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装 : DO-5 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 150V 电流 - 平均整流（Io） : 200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 200mA 速度 : 小信号 = 反向恢复时间（trr） : 3µs 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1nA @ 125V 不同 Vr，F 时的电容 : 8pF @ 0V，1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装 : DO-35 包装 : 散装 工作温度 - 结 : 175°C（最大） 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 150V 电流 - 平均整流（Io） : 200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 200mA 速度 : 小信号 = 反向恢复时间（trr） : 3µs 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1nA @ 125V 不同 Vr，F 时的电容 : 8pF @ 0V，1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装 : DO-35 包装 : 标准卷带 工作温度 - 结 : 175°C（最大） 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 标准 电流 - 平均整流（Io） : 4A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 200mA 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 3µs 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1nA @ 125V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SQ-MELF，B 供应商器件封装 : B，SQ-MELF 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 150°C 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1.1V @ 1A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1µA @ 200V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : A，轴向 供应商器件封装 : A，轴向 包装 : 散装 工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C 零件状态 : 在售

系列 : SUPERECTIFIER® 制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管类型 : 标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） : 200V 电流 - 平均整流（Io） : 1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf : 1V @ 1A 速度 : 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr） : 2µs 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 1µA @ 200V 不同 Vr，F 时的电容 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装 : DO-204AL（DO-41） 包装 : 标准卷带 工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C 零件状态 : 在售