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0105-50

Microsemi
Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 65V Frequency - Transition : 100MHz ~ 500MHz Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : 8.5dB ~ 10dB Power - Max : 140W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 10 @ 1A, 5V Current - Collector (Ic) (Max) : 7A Operating Temperature : 200°C (TJ) Mounting Type : Chassis Mount Package / Case : 55JT Supplier Device Package : 55JT
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100件,有货

0204-125

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 频率 - 跃迁 : 225MHz ~ 400MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 270W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 1A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 16A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55JT 供应商器件封装 : 55JT 包装 : 散装 零件状态 : 停產
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100件,有货

0910-150M

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 890MHz ~ 1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 8.1dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 400W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 12A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55KT 供应商器件封装 : 55KT 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥2,930.90
100件,有货

0910-60M

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 890MHz ~ 1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 180W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 8A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW 供应商器件封装 : 55AW 包装 : 散装 零件状态 : 在售
¥2,630.32
100件,有货

0912-25

Microsemi
Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 55V Frequency - Transition : 960MHz ~ 1.215GHz Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : 8.5dB ~ 10dB Power - Max : 125W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 10 @ 300mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) : 2.5A Operating Temperature : 200°C (TJ) Mounting Type : Chassis Mount Package / Case : 55CT Supplier Device Package : 55CT
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100件,有货

1000MA

Microsemi
Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : - Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : - Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : - Frequency - Transition : - Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : - Power - Max : - DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : - Current - Collector (Ic) (Max) : - Operating Temperature : - Mounting Type : - Package / Case : - Supplier Device Package : -
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100件,有货

1000MP

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 1.15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 10.8dB 功率 - 最大值 : 5.3W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 15 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 300mA 工作温度 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW 供应商器件封装 : 55FW 包装 : 散装 零件状态 : 停產
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100件,有货

1002MP

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 频率 - 跃迁 : 960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 8.24dB ~ 11dB 功率 - 最大值 : 7W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 250mA 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW-1 供应商器件封装 : 55FW-1 包装 : 散装 零件状态 : 停產
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100件,有货

1004MA

Microsemi
Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : - Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : - Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : - Frequency - Transition : - Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : - Power - Max : - DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : - Current - Collector (Ic) (Max) : - Operating Temperature : - Mounting Type : - Package / Case : - Supplier Device Package : -
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100件,有货

1004MP

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 频率 - 跃迁 : 960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7dB ~ 9dB 功率 - 最大值 : 7W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 300mA 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW-1 供应商器件封装 : 55FW-1 包装 : 散装 零件状态 : 停產
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100件,有货

1015MP

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 10dB ~ 11dB 功率 - 最大值 : 50W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW 供应商器件封装 : 55FW 包装 : 散装 零件状态 : 停產
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100件,有货

1075MP

Microsemi
系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7.6dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 250W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 6.5A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW-1 供应商器件封装 : 55FW-1 包装 : 散装 零件状态 : 停產
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100件,有货