系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 6V 频率 - 跃迁 : 9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.5dB @ 2GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 80 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : 6-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 6V 频率 - 跃迁 : 9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.5dB @ 2GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 80 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : 6-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 5.5V 频率 - 跃迁 : 6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 130mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 5mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-SMD，扁平引线 供应商器件封装 : 6 针无铅 SuperMiniMold 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 5.5V 频率 - 跃迁 : 6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 130mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 5mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-SMD，扁平引线 供应商器件封装 : 6 针无铅 SuperMiniMold 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 24V 频率 - 跃迁 : 470MHz ~ 860MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 11dB 功率 - 最大值 : 8W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 100mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 750mA 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 24V Frequency - Transition : 470MHz ~ 860MHz Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : 11.5dB Power - Max : 15W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 15 @ 200mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) : 1.25A Operating Temperature : 200°C (TJ) Mounting Type : Chassis, Stud Mount Package / Case : 55FT Supplier Device Package : 55FT

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 25V 频率 - 跃迁 : 470MHz ~ 860MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 12dB 功率 - 最大值 : 17W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 250mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1.2A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 25V 频率 - 跃迁 : 470MHz ~ 860MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 9dB 功率 - 最大值 : 25W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2.5A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 28V Frequency - Transition : 470MHz ~ 860MHz Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : 8.5dB ~ 9.5dB Power - Max : 80W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 10 @ 1A, 5V Current - Collector (Ic) (Max) : 4.5A Operating Temperature : 200°C (TJ) Mounting Type : Chassis Mount Package / Case : 55JV Supplier Device Package : 55JV

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 频率 - 跃迁 : 470MHz ~ 860MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 8.5dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值 : 290W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 15A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55RT 供应商器件封装 : 55RT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 15V 频率 - 跃迁 : 1.3GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 5dB @ 500MHz 增益 : 53dB 功率 - 最大值 : 350mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 25 @ 2mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 工作温度 : -55°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : E-Line-3 供应商器件封装 : E-Line（TO-92 兼容） 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 15V 频率 - 跃迁 : 1.3GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 5dB @ 500MHz 增益 : 53dB 功率 - 最大值 : 350mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 25 @ 2mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 工作温度 : -55°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : E-Line-3，成型引线 供应商器件封装 : E-Line（TO-92 兼容） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產