系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 30V 频率 - 跃迁 : 100MHz ~ 400MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 10dB 功率 - 最大值 : 28W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 200mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1.5A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 31V 频率 - 跃迁 : 225MHz ~ 400MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 7.2dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 270W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 20A 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55JU 供应商器件封装 : 55JU 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 33V Frequency - Transition : 225MHz ~ 400MHz Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : 8.9db ~ 10dB Power - Max : 70W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 10 @ 500mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) : 3A Operating Temperature : 200°C (TJ) Mounting Type : Chassis Mount Package / Case : 55HV Supplier Device Package : 55HV

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 30V 频率 - 跃迁 : 225MHz ~ 400MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 11.8db ~ 13dB 功率 - 最大值 : 11W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 100A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 700mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 底座，接线柱安装 封装/外壳 : 55FT 供应商器件封装 : 55FT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : Microsemi Corporation Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : - Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 30V Frequency - Transition : 225MHz ~ 400MHz Noise Figure (dB Typ @ f) : - Gain : 13dB Power - Max : 11W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 10 @ 100A, 5V Current - Collector (Ic) (Max) : 700mA Operating Temperature : 150°C Mounting Type : Stud Mount Package / Case : 55FT Supplier Device Package : 55FT

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿（最大值） : 31V 频率 - 跃迁 : 200MHz ~ 500MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : - 增益 : 9dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值 : 220W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 10 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 12A 工作温度 : 200°C（TJ） 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55HV 供应商器件封装 : 55HV 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 10V 频率 - 跃迁 : 8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.9dB @ 2GHz 增益 : 7.5dB 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 80 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 35mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 10V 频率 - 跃迁 : 8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 80 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 35mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : 6-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 10V 频率 - 跃迁 : 8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.9dB @ 2GHz 增益 : 7.5dB 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 80 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 35mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 频率 - 跃迁 : 4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.2dB @ 1GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 频率 - 跃迁 : 4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.2dB @ 1GHz 增益 : 9dB 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : CEL 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电压 - 集射极击穿（最大值） : 10V 频率 - 跃迁 : 7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） : 1.4dB @ 1GHz 增益 : 12dB 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 65mA 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 散装 零件状态 : 停產