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ZXTP2012ASTZ

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 210mV @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1A,1V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : E-Line-3 供应商器件封装 : E-Line(TO-92 兼容) 包装 : 带盒(TB) 零件状态 : 在售
¥3.47
2723件,有货

ZXTP2012GTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 5.5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 2A,1V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装 : SOT-223 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.20
24209件,有货

ZXTP2012ZTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 4.3A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 215mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 2A,1V 功率 - 最大值 : 1.5W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.18
15075件,有货

ZXTP2013GTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 100V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 340mV @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1A,1V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 125MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装 : SOT-223 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥4.58
100件,有货

ZXTP2013ZTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 100V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1A,1V 功率 - 最大值 : 2.1W 频率 - 跃迁 : 125MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.77
460件,有货

ZXTP2014GTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 4A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 140V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 360mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1A,5V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装 : SOT-223 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.98
19件,有货

ZXTP2014ZTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 140V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 330mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1A,5V 功率 - 最大值 : 2.1W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.49
1519件,有货

ZXTP2025FTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 200mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值 : 1.2W 频率 - 跃迁 : 190MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥4.85
100件,有货

ZXTP2027FTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 4A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 240mV @ 200mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 2A,2V 功率 - 最大值 : 1.2W 频率 - 跃迁 : 165MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥2.55
5509件,有货

ZXTP2029FTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 100V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1A,2V 功率 - 最大值 : 1.2W 频率 - 跃迁 : 150MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥2.70
4504件,有货

ZXTP2039FTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 600mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值) : 100nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : 150MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥1.31
3579件,有货

ZXTP2041FTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值) : 100nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : 150MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥1.89
3件,有货