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ZXTP5401FLTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 150V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值 : 330mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
0
100件,有货

ZXTP5401GTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 150V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值 : 2W 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装 : SOT-223 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥1.82
4690件,有货

ZXTP5401ZTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 150V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值 : 1.2W 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥1.82
862件,有货

ZXTP717MATA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 4A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 150mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 25nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 180 @ 2.5A,2V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 110MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 3-UDFN 供应商器件封装 : DFN2020B-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
0
100件,有货

ZXTP718MATA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 20V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 350mA,3.5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 25nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 150 @ 2A,2V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 180MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 3-UDFN 供应商器件封装 : DFN2020B-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥1.95
10930件,有货

ZXTP720MATA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 370mV @ 250mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 25nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 1.5A,2V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 190MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 3-UDFN 供应商器件封装 : DFN2020B-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥1.72
5087件,有货

ZXTP722MATA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 2.5A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 70V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 260mV @ 200mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 25nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 40 @ 1.5A,5V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 180MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 3-UDFN 供应商器件封装 : DFN2020B-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥2.29
2890件,有货

ZXTP749FTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 25V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 350mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值 : 725mW 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥5.40
6000件,有货

ZXTPS717MCTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP + 二极管(隔离式) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 4A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 150mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值) : 25nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 180 @ 2.5A,2V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 110MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 8-DFN(3x2) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.93
490件,有货

ZXTPS720MCTA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP + 二极管(隔离式) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 3A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 370mV @ 250mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值) : 25nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 1.5A,2V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 190MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 : 8-DFN(3x2) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售
¥3.64
2987件,有货

ZXTS1000E6TA

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP + 二极管(隔离式) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1.25A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 240mV @ 100mA,1.25A 电流 - 集电极截止(最大值) : 10nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值 : 885mW 频率 - 跃迁 : 220MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-23-6 供应商器件封装 : SOT-23-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產
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100件,有货

ZXTS1000E6TC

Diodes Incorporated
系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP + 二极管(隔离式) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1.25A 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 240mV @ 100mA,1.25A 电流 - 集电极截止(最大值) : 10nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值 : 885mW 频率 - 跃迁 : 220MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-23-6 供应商器件封装 : SOT-23-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產
0
100件,有货