系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 260MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-70，SOT-323 供应商器件封装 : SOT-323 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 270MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-70，SOT-323 供应商器件封装 : SOT-323 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 180mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值 : 900mW 频率 - 跃迁 : 170MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 3A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 500mA，2V 功率 - 最大值 : 900mW 频率 - 跃迁 : 170MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 370mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值 : 2W 频率 - 跃迁 : 240MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : * 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : - 封装/外壳 : - 供应商器件封装 : - 包装 : - 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 55V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.4V @ 20mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 20 @ 200mA，4V 功率 - 最大值 : 5W 频率 - 跃迁 : 1.5MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.5V @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 3W 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.5V @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 800mW 频率 - 跃迁 : 70MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 65V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : 2nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 60MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 800mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 40V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 800mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 800mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 800mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售