EPC

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 60A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 1.5 毫欧 @ 37A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.5V @ 19mA Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2100pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Obsolete FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 194pF @ 240V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

Manufacturer : EPC Packaging : Tray Series : eGaN? Part Status : Obsolete FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.85nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 194pF @ 240V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Outline (12-Solder Bar) Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 3.2 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 12mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 13nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1410pF @ 40V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 31A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 18nC @ 5V Vgs（最大值） : 18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1900pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 18nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1900pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 31A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 2.6 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 17nC @ 5V Vgs（最大值） : 17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1800pF @ 300V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 2.6 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 17nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1800pF @ 300V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 11mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 15nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1530pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 48A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1530pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 31A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 10nC @ 5V Vgs（最大值） : 10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1140pF @ 75V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 31A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1140pF @ 75V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die