EPC

Manufacturer : EPC Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 48A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 100V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 140°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 31A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 100V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 45 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 800µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 1.15nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 115pF @ 30V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 65 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 600µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : .91nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 90pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : - Part Status : Obsolete FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 50V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 550 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 80µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : .12nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 14pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 100mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.12nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 12.5pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 500mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 3.3 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : .044nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 8.4pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 500mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.044nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 8.4pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 6.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 25 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.4nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 210pF @ 40V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 40V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 3.4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 30 毫欧 @ 1.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : .93nC @ 5V Vgs（最大值） : .93nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 105pF @ 6V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售