EPC

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 3.4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 1.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.93nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 6V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

Manufacturer : EPC Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 16A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 685pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

Manufacturer : EPC Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 16A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 685pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

Manufacturer : EPC Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 11A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 100V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

Manufacturer : EPC Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 32A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.2nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 100V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 16A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 5 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 7.6nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 805pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Cut Tape (CT) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 350V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6.3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 505pF @ 280V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Outline (12-Solder Bar) Package / Case : Die

系列 : * 制造商 : EPC FET 类型 : - 技术 : - 漏源电压（Vdss） : - 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : - 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : - 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - Vgs（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : - FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : - 安装类型 : - 供应商器件封装 : - 封装/外壳 : - 包装 : - 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.7A 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 25 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.3nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 280pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : 2 个 N 通道（半桥） FET 功能 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值 : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 模具 供应商器件封装 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : 2 个 N 通道（半桥） FET 功能 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值 : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 模具 供应商器件封装 : 模具 包装 : 托盘 零件状态 : 停产

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : 2 个 N 通道（半桥） FET 功能 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值 : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 模具 供应商器件封装 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售