系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 50mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產