系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : TT Electronics/Optek Technology Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : 4 PNP (Quad) Current - Collector (Ic) (Max) : 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max) : 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 150mA, 10V Power - Max : 1W Frequency - Transition : - Operating Temperature : -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Package / Case : 20-CLCC Supplier Device Package : 20-CLCC

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : 4 NPN（四路） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 800mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 1.5W 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 14-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装 : TO-116 包装 : 散装 零件状态 : 停产

Manufacturer : TT Electronics/Optek Technology Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : 4 NPN (Quad) Current - Collector (Ic) (Max) : 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max) : 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 150mA, 10V Power - Max : 1W Frequency - Transition : - Operating Temperature : -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Package / Case : 20-CLCC Supplier Device Package : 20-CLCC

Manufacturer : TT Electronics/Optek Technology Packaging : Bulk Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : 4 NPN (Quad) Current - Collector (Ic) (Max) : 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max) : 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 150mA, 10V Power - Max : 1W Frequency - Transition : - Operating Temperature : -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Package / Case : 20-CLCC Supplier Device Package : 20-CLCC

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 : 2 PNP（双）配对，共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 80MHz 工作温度 : 125°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-74A，SOT-753 供应商器件封装 : SMV 包装 : 剪切带（CT） 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 : 2 PNP（双）配对，共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 80MHz 工作温度 : 125°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-74A，SOT-753 供应商器件封装 : SMV 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : ON Semiconductor Packaging : Tape & Box (TB) Series : - Part Status : Obsolete Transistor Type : NPN, PNP Current - Collector (Ic) (Max) : 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max) : 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 140 @ 100mA, 5V Power - Max : 1W Frequency - Transition : 120MHz Operating Temperature : - Mounting Type : Through Hole Package / Case : SC-71 Supplier Device Package : 3-NMP

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 : 2 PNP（双）配对，共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 80MHz 工作温度 : 125°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装 : USV 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 : 2 PNP（双）配对，共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 80MHz 工作温度 : 125°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装 : USV 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 80MHz 工作温度 : 125°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-74A，SOT-753 供应商器件封装 : SMV 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 : 2 NPN（双） 共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 80MHz 工作温度 : 125°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-74A，SOT-753 供应商器件封装 : SMV 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售