系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 300mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 135 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 200MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 300mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 135 @ 1mA，5V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 200MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : TT Electronics/Optek Technology Packaging : Bulk Series : - Part Status : Active Transistor Type : NPN, PNP Current - Collector (Ic) (Max) : 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max) : 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 150mA, 10V Power - Max : 600mW Frequency - Transition : - Operating Temperature : -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Package / Case : 6-CLCC Supplier Device Package : 6-CLCC

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 600mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 40V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

Manufacturer : TT Electronics/Optek Technology Packaging : Bulk Series : - Part Status : Active Transistor Type : 2 NPN (Dual) Current - Collector (Ic) (Max) : 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max) : 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 100 @ 150mA, 10V Power - Max : 600mW Frequency - Transition : - Operating Temperature : -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Package / Case : 6-CLCC Supplier Device Package : 6-CLCC

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : 2 PNP（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 600mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 200MHz 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : - 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : - 电压 - 集射极击穿（最大值） : - 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : - 电流 - 集电极截止（最大值） : - 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : - 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : - 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-78-6 金属罐 供应商器件封装 : TO-78-6 包装 : 散装 零件状态 : 停產