系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 290pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 2.5A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 130 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 700pF @ 15V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 最後搶購

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 2.5A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 130 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 700pF @ 15V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 2.3A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 290pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 2.3A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 290pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 290pF @ 15V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 最後搶購

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 290pF @ 15V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 185 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 270pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 最後搶購

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 185 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 270pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装 : 8-MSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 25 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : - 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SO 包装 : Digi-Reel® 得捷定制卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 6.5A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : - 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : - 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : - 功率 - 最大值 : - 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SO 包装 : Digi-Reel® 得捷定制卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 4A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 50 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 20nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 960pF @ 15V 功率 - 最大值 : 1.75W 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產