系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 4A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 50 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 20nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 960pF @ 15V 功率 - 最大值 : 1.75W 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 3.8A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 55 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 25.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 930pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.75W 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SO 包装 : 剪切带（CT） 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 800mA，680mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 138pF @ 60V 功率 - 最大值 : 870mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1A，800mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 138pF @ 60V 功率 - 最大值 : 1.3W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-223-8 供应商器件封装 : SM8 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 2.17A，1.64A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 190pF @ 25V 功率 - 最大值 : 870mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 2.7A，2A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 120 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 190pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1.3W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-223-8 供应商器件封装 : SM8 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 3.98A，3.36A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 33 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 430pF @ 15V 功率 - 最大值 : 870mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.39A，1.28A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 250 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 166pF @ 40V 功率 - 最大值 : 870mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.6A，1.3A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 166pF @ 40V 功率 - 最大值 : 1.3W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-223-8 供应商器件封装 : SM8 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.4A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 166pF @ 40V 功率 - 最大值 : 1.6W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-223-8 供应商器件封装 : SM8 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.6A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 250 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 405pF @ 50V 功率 - 最大值 : 1.25W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 1.6A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 250 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 405pF @ 50V 功率 - 最大值 : 1.25W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產