系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道（双） FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 3.7A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 55 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1580pF @ 30V 功率 - 最大值 : 1.8W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售