系列 : EPAD® 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 4 N 沟道，配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 12mA，3mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1.42V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 16-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD®，Zero Threshold™ 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 10mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD®，Zero Threshold™ 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 10mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD®，Zero Threshold™ 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 20mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD®，Zero Threshold™ 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 20mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD® 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4.2V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 220mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD® 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 12mA，3mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 420mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD® 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 12mA，3mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 4.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 810mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD® 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 12mA，3mA 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1.42V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道互补型 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 1800 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 3pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 3pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道（双）配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 3pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售