系列 : EPAD®，Zero Threshold™ 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 4 P 沟道，配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : - 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 20mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 16-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装 : 16-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : EPAD®，Zero Threshold™ 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 4 P 沟道，配对 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : - 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 780mV @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 16-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

系列 : * 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : - FET 功能 : - 漏源电压（Vdss） : - 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : - 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : - 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : - 功率 - 最大值 : - 工作温度 : - 安装类型 : - 封装/外壳 : - 供应商器件封装 : - 包装 : - 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 23 毫欧 @ 7.5A, 10V, 42 毫欧 @ 5.6A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 8-SOIC 零件状态 : 初步

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : - FET 功能 : - 漏源电压（Vdss） : - 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : - 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : - 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : - 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : - 功率 - 最大值 : - 工作温度 : - 安装类型 : - 封装/外壳 : - 供应商器件封装 : - 包装 : - 零件状态 : 最後搶購

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道互补型 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 6A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 30 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 310pF @ 15V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道互补型 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 6A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 30 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 310pF @ 15V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 2300pF @ 30V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 4.5A，3.2A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 540pF @ 30V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 标准 漏源电压（Vdss） : 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 56 毫欧 @ 4.5A, 10V, 105 毫欧 @ 3.2A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 8-SOIC 零件状态 : 最後搶購

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 630pF @ 15V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） : 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 630pF @ 15V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 : 8-SO 包装 : 散装 零件状态 : 停產