EPC

系列 : eGaN® 制造商 : EPC 类型 : 手册 标题 : 用于高效电源转换的氮化镓晶体管 作者 : Alex Lidow，Johan Strydom，Michael de Rooij，Yanping Ma 出版商 : 电源转换出版物 ISBN : 电源转换出版物 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 25A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Outline (11-Solder Bar) Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 36A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 9nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 900pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Obsolete FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 205pF @ 50V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Outline (5-Solder Bar) Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.2nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 220pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面（5 焊条） 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 22A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 25 毫欧 @ 12A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 5.3nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 540pF @ 100V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面（7 焊条） 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 100 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 1.3nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 140pF @ 100V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面（4 焊条） 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 20V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Outline (5-Solder Bar) Package / Case : Die

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss） : 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） : 10A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） : 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 16 毫欧 @ 10A， 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 2.5nC @ 5V Vgs（最大值） : +6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 300pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散（最大值） : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面（5 焊条） 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

Manufacturer : EPC Packaging : Tape & Reel (TR) Series : eGaN? Part Status : Discontinued at FET Type : N-Channel Technology : GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 33A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 33A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 5V Vgs (Max) : +6V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 20V FET Feature : - Power Dissipation (Max) : - Operating Temperature : -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Surface Mount Supplier Device Package : Die Outline (11-Solder Bar) Package / Case : Die