系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 240mV @ 20mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值 : 700mW 频率 - 跃迁 : 450MHz 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-96 供应商器件封装 : 3-CPH 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 240mV @ 20mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值 : 600mW 频率 - 跃迁 : 450MHz 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 3-SMD，扁平引线 供应商器件封装 : 3-MCPH 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 700mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 15V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 330MHz 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-70，SOT-323 供应商器件封装 : 3-MCP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 15V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 280mV @ 20mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值 : 700mW 频率 - 跃迁 : 440MHz 工作温度 : 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-96 供应商器件封装 : 3-CPH 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 800mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 120V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值 : 1.5W 频率 - 跃迁 : 160MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 800mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 120V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值 : 1.5W 频率 - 跃迁 : 160MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 160MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 160MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 140MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-523 供应商器件封装 : SOT-523 包装 : 剪切带（CT） 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 40V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值 : 250mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 3-UFDFN 供应商器件封装 : 3-DFN1006（1.0x0.6） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 180 @ 1mA，6V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 140MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-523 供应商器件封装 : SOT-523 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 180 @ 1mA，6V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 140MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-523 供应商器件封装 : SOT-523 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售