系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 1mA，6V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 140MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-523 供应商器件封装 : SOT-523 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 1mA，6V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 140MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-523 供应商器件封装 : SOT-523 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 3A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 350mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 82 @ 500mA，2V 功率 - 最大值 : 900mW 频率 - 跃迁 : 160MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 400V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 400mV @ 40mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 140 @ 100mA，5V 功率 - 最大值 : 1.5W 频率 - 跃迁 : 75MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值） : 12V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 260MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-523 供应商器件封装 : SOT-523 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 32V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 500nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 190MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 32V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 500nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 190MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 32V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） : 500nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 190MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 32V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） : 1µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值 : 10W 频率 - 跃迁 : 110MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装 : TO-252 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 3A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） : 1µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值 : 15W 频率 - 跃迁 : 110MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装 : TO-252，（D-Pak） 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 32V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 2A 电压 - 集射极击穿（最大值） : 32V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） : 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） : 120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值 : 1W 频率 - 跃迁 : 120MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-243AA 供应商器件封装 : SOT-89-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售